Представлены первые микросхемы, изготовленные по нормам 22 нм технологического процесса

Изображение с ferra.ru

В Сан-Франциско стартовал Форум Intel для разработчиков (Intel Developer Forum, IDF). Генеральный директор и президент корпорации Intel Пол Отеллини (Paul Otellini) продемонстрировал первые образцы микросхем, изготовленных согласно нормам 22 нм технологического процесса. В чипах, анонсированных спустя два года после освоения 32-нм технологического процесса, реализовано третье поколение технологии Hi-K с металлическим затвором. Новая разработка в очередной раз подтвердила, что закон Мура благополучно перешагнул условный рубеж, за которым, по мнению экспертов, полупроводниковая промышленность должна была бы столкнуться с неразрешимыми проблемами.

Работоспособность 22 нм технологии, пригодность нового производственного процесса и надежность продуктов тестируются на модулях памяти SRAM. Только после достижения успеха с этими изделиями по новой технологии начинают выпускаться процессоры нового поколения. В настоящее время Intel работает над освоением 22 нм технологии при массовом производстве микросхем. 22 нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм2 функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм2 оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм2 является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.

Источник: ferra.ru

Все новости рубрики новости телекоммуникаций за сегодня

Если Вы хотите разместить новости или пресс-релизы своей компании в разделе "Новости телекоммуникаций и IT", свяжитесь с редактором по адресу: diza[собачка]innov.ru.
При любом использовании материалам обязательна гиперссылка вида:


© 1996-2012 INNOV.RU (Иннов.ру), ООО «Иннов», г. Нижний Новгород Свидетельство РОСКОМНАДЗОРА ИА № ТУ 52-0604 от 29 февраля 2012 г. Дизайн-студия «Иннов» - продвижение и cоздание сайтов